雄安新区净化工程的主要特点及原理

  净化工程的湍流洁净室的主要特点是气流从始端到出口（从送风口到回风口）的截面是可变的。净化工程的使用是洁净室的截面比送风口的截面大得多，不能在整个洁净室或整个洁净室的工作区域形成均匀的气流。

  因此，净化工程送风口后面的流线相互之间的夹角较大或增大，曲率半径很小。气流在室内不能单向流动，但会相互碰撞，产生回流和漩涡，这比用湍流来描述湍流洁净室更为准确和全面。湍流主要由雷诺数决定，即主要受速度的影响。

净化工程

  但是，雄安新区净化工程如果采用高效过滤器进行送风，由于是突变流和不均匀流，即使流速很低，也会产生上述结果。因此，在这种情况下，存在整个燃烧室中大回流和涡流引起的混合。净化工程在满足工艺要求的条件下，应考虑人的舒适性。

净化设备

  雄安新区净化工程随着对空气洁净度要求的提高，工艺对温湿度的要求也越来越严格。但作为一般原理，对温度波动范围的要求也越来越小。例如，在生产的光刻曝光过程中，作为掩模材料的热膨胀系数之差越来越小。如果直径100微米的硅片的温度上升1度，它将导致0.24微米的线性膨胀。

净化车间

  因此，净化工程必须保持0.1度的恒温。同时，湿度值一般较低，因为出汗后产品会受到污染，特别是在怕钠的半导体车间。这种车间的温度不应超过25度。湿度过高会引起更多的问题。

  另外，当湿度过高时，在这种硅片表面的灰尘，在这种情况下，会被空气中的水分子化学吸附。相对湿度越高，去除粘附颗粒的难度越大。然而，由于静电的作用，粒子很容易吸附在表面，大量的半导体器件容易发生击穿。

  净化工程晶圆生产的，最佳湿度范围为35-45％。对于大多数洁净空间，有必要保持内部压力高于外部压力。压差的维护应遵循以下原则：应高于非洁净空间。洁净度高的空间压力高于洁净度低的相邻空间压力。

  雄安新区净化工程压差可以补偿此压差下间隙的漏风。所以压差的物理意义是指漏，在这种情况下，气流通过洁净室各个缝隙的阻力。

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